超高压汞灯紫外线灯AHD-750H-O-N

光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的纳米级细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有高压汞灯，准分子激光器等。i线步进式光刻机NSR-SF150用于半导体器件制造。使用ORC制作所，对应型号：NLi-7500AL2。超高压汞灯紫外线灯AHD-750H-O-N

弊社が作っている超高圧UVランプは、主に半導体や液晶、プリント基板などのリソグラフィ（回路パターン焼付け）用光源として、各種の露光装置に搭載されています。用途として半導体回路形成用光源、液晶パターン形成用光源、カラーフィルターパターン形成用光源、プリント基板回路形成用光源、MEMSパターン形成用光源、蛍光顕微鏡用光源、紫外線硬化用光源、その他新規露光用途など数多くに使われています。製品の型式について営業担当者までお問い合わせてください。 曝光设备紫外线灯12KW电源i线步进式光刻机NSR-SF140,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率7.5KW，型号：NLi-7500AL2。

光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。生产集成电路的简要步骤：利用模版去除晶圆表面的保护膜。将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种：模版和晶圆大小一样，模版不动。模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。成为的主流。

UV硬化システムとは、塗料・接着剤・レジスト材等の樹脂へ、紫外線を照射し、瞬時に硬化・乾燥させる技術です。従来の熱乾燥などと比較すると、硬化・乾燥までにかかる時間が短縮でき、溶剤等の使用量も少量で済むため、使用シーンが広がっています。紫外線を照射し、UV硬化の実験及び少量生産ができます。コンパクトで設置場所を取らず実験室設備に適しています。灯具、電源を分離して軽量化を実現、室内移動が容易です。グリップを取り外せばラインに組み込み可能。我们的紫外线灯可降低能源消耗和运营成本，提高生产效率和产品质量.

超高圧水銀Lampは均一・平行光源として豊富な実績のあるマルチライトシリーズの基本構成はそのままに波長230nm～450nmのDeepUV領域に適化した光源ユニットです。リソグラフィー用途はもちろん、表面改質光源、各種光化学反応評価光源としても応用頂けます。光源:250W 超高圧UVランプ,露光エリア:φ135mm,波長領域:230nm～450nm,初期照度:16mW/cm2以上,照度均一度:±5%以内,本体外形寸法(mm):224(W)×521(D)×417(H),電源外形寸法（mm):180(W)×300(D)×360(H).i线步进式光刻机NSR-SF150,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率7.5KW，型号：NLi-7500AL2。NIKON露光机紫外线灯power supply

我们的紫外线灯可有效杀灭细菌、病毒等微生物，保障食品安全和人员健康。超高压汞灯紫外线灯AHD-750H-O-N

于2005年开始，使用尼康Nikon i-line步进式光刻机，型号：NSR-SF140,分辨率≤280nm。这是一种具有高吞吐量和极低拥有成本的扫描场i线步进器。

客户可以将NSR-SF140用于大规模生产下一代存储器和微处理器的非关键层。NSR-SF140可提高生产率并提高镜头性能。光源和透镜热管理得到了改进，在典型的生产应用中（即剂量=200mJ/cm2，300mm晶片上的76次曝光）。

光刻设备中光源为紫外线I线，波长为365nm，功率为7.5KW,对应型号为NLi-7500AL2,是日本ORC生产。

光源制作工厂给出寿命时间1500Hr，照度保证时间1500Hr的承诺。

使用步进式光刻机型号：NSR-SF140,NSR-SF150,NSR-SF155； 超高压汞灯紫外线灯AHD-750H-O-N